半导体中的能带图是怎么回事儿,最好是普通语言解释,谢谢!
1带隙和波长的关系：相应的最大辐射几率的波长λ=Eghc，其中c是光速，h是普朗克常数。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。
2总结来说，理解K空间和半导体能带图，不仅需要坚实的量子力学基础，还需对对称性守恒定律和相空间有深刻理解。只有这样，我们才能真正把握这个复杂而又迷人的领域。
3根据内建电场所引起的这种能量变化关系，即可画出p-n结的能带图，如图（c）所示。在达到热平衡之后，两边的Fermi能级（EF）是拉平（统一）的。能带的倾斜就表示著电场的存在。 ①势垒高度： 实际上，在p-n结界面处的内建电场就使得p型半导体与n型半导体之间产生了电位差——内建电势差（或内建电压）。
4②受主杂质原子能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子，当电子获得能量从硅的价带激发到杂质能级补充空位，也就是受主空穴成为载流子，硼原子获得一个电子带负电，它是一个不能移动的带负电的原子核，此时半导体材料整体依然呈电中性。
能带结构图怎么理解
另一个关键近似是Hartree-Fock平均场近似，它忽略了电子间的相互作用，用平均场来代替，认为每个电子都受到相同的势场影响，其势能仅依赖于自身位置，与他电子无关。这种简化有助于理解能带的形成过程。
名词解释如下：导带是由自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。价带：价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。禁带：英文名为Forbidden Band，在能带结构中能态密度为零的能量区间。
导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所 具有的能量范围。 对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是价带，比价带能量更高的 能带是导带。
能带结构图如何分析
1能带结构图分析方法如下：能带中的禁带宽，又没有导带，就是绝缘体；有导带，就是导体；禁带狭窄，没有导带，就是半导体。固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带（简称导带）价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。
2同时，能带图还能揭示电子结构在特定路径上的变化，如gamma点的特征。然而，单纯的能带图往往不够直观，结合态密度曲线（Int_Jour_Hydr_Ener-37-2012-12393）的展示，能提供更全面的视角，帮助我们探究不同结构下态密度的变化，从而揭示相变的深层次信息。
3能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个带。通过能带图，能把价带和导带看出来。在castep里，分析能带结构的时候给定scissors这个选项某个值，就可以加大价带和导带之间的空隙，把绝缘体的价带和导带清楚地区分出来。DOS叫态密度，也就是体系各个状态的密度，各个能量状态的密度。
4用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性定量的讨论： 电荷密度图（charge density）； 能带结构（Energy Band Structure）； 态密度（Density of States，简称DOS）。
5分析什么呢乙图：把AB看成一个整体，A点就是等效最低点。丙图：小球先做自由落体运动，在做圆周运动。
怎么判断简并半导体什么是简并半导体
1简并半导体（degenerate semiconductor）是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂浓度，因而它表现得更接近金属。对一般的掺杂情况（杂质浓度小于10的18次方 ）常温下，通常的半导体都属非简并半导体。但在某些情况下，费米能级可以接近导带底（或价带顶），甚至会进入导带（或价带）中。
2简并（或者退化）系统也就是表现出显著量子效应的量子系统，出现量子效应时的温度称为简并温度（退化温度）。相反，不呈现量子效应的系统就是非简并系统。 电子简并态概念的具体含义为：①具有相同能量的多个态，即为简并状态（简并态）。
3简并时的杂质浓度：对n型半导体，半导体发生简并时，掺杂浓度接近或大于导带底有效状态密度；对于杂质电离能小的杂质，则杂质浓度较小时就会发生简并。对于p型半导体，发生简并的受主浓度接近或大于价带顶有效状态密度，如果受主电离能较小，受主浓度较小时就会发生简并。
4年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。
5半导体类型辨识： - NP型半导体： 通过掺杂元素赋予的电子空穴特性，决定半导体类型。 载流子行为： - 简并与非简并： 费米分布或玻尔兹曼分布，定义电子行为的复杂性。 杂质世界： - 杂质类型： 施主受主替位间隙等电子杂质，影响半导体性能。
6如果有多个原子，本身价电子直接就有相互作用，导带能级天然就不可能是简并的，一般晶体中都有大量价电子，也就形成准连续的能级，称为能带，导带是能带的一种。如果施加外力，只会使能级劈裂得更多，不会简并。
测sem时的硅片的作用
1在硅片上制造微电路是成批地制造，在微小的面积上制出晶体管电阻电容而且按要求连成电路已属不易，而在一定面积的硅片上制造出性能一致的芯片则更加困难。集成电路的生产，大多是从硅片制备开始的，硅片的制备需要专门的设备和严格的生产条件。
2.1克。根据查询相关资料显示，镀金硅片31U含金量有0.1克，镀金硅片可用作纳米领域的基片扫描电镜（SEM）原子力显微镜（AFM）及其它扫描探针显微镜的测距，以及细胞培养，蛋白质DNA微阵列和反射计等方面。
3很多纳米管线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。换句话说，只有纳米材料才会考虑用抛光硅片做样品载台。微米亚微米级别的，浪费，直接双面导电胶带粘即可。
4基本来说就是：硅片对光的吸收，光照到硅片表面被凹凸不平的表面所吸收。提高陷光能力的做出来的电池片Isc较高，从而提高电池片的EFF。
5硅在水中呈偏硅酸形态被人体吸收，主要分布于人体皮肤及结缔组织之中，在骨骼化过程中具有生理上的作用，促进骨骼发育生长。硅还参与多糖的代谢，是构成一些葡萄糖氨基多糖羧酸的主要成分。硅与心血管病有关，人如缺硅，可引起关节炎动脉硬化冠心病等心血管病。
薄膜太阳能电池的原理结构结构图
太阳能薄膜电池的结构 非晶硅（a-Si）太阳电池是在玻璃（glass）衬底上沉积透明导电膜（TCO），然后依次用等离子体反应沉积p型i型n型三层a-Si，接着再蒸镀金属电极铝（Al）.光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构可表示为glassTCOpinAl，还可以用不锈钢片塑料等作衬底。
电池片主要作用就是发电，发电主体市场上主流的是晶体硅太阳电池片薄膜太阳能电池片，两者各有优劣。
太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，缩写为PV），简称光伏。
以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。基本特性：太阳能电池的基本特性有太阳能电池的极性太阳电池的性能参数太阳能电环保电池的伏安特性三个基本特性。
