SEM硅片用哪一面
凭空想的呀...粗面肯定你怎么分辨是面还是你的东西，单抛是因为成本，你可以买双抛的 制完样后不是直接就粘在导电胶上了吗又不用区分粗面和光面。
粉末样品 - 直接固定在导电胶带或液体胶上，注意剥离纸放置方法，确保样品牢固。 截面样品 - 硅片和玻璃需用玻璃刀切割，注意避开观察面，防止损伤。 薄膜样品 - 液氮粹断技术，可得到更精确的样品表面。
划片机划了，界面很粗糙。硅片本身就有很好的解理性，用金刚刀在边缘划一下，然后用手按让其自然解理，多做几次，找个好点的就行。
目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗（ RCA）清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。
如果要测Si元素，注意不要制样到硅片上。镀金：为了保证拍摄效果，一般导电差或者是强磁性的样品都需要镀金之后进行拍摄。
扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）于1965年左右发明，其利用二次电子背散射电子及特征X射线等信号来观察分析样品表面的形态特征，是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察方法。
如何制备sem石墨烯薄膜的截面
这种方法可以获得高质量的石墨烯，但是这种方法对设备要求较高。石墨烯薄膜生产方法CVD是使用含碳有机气体为原料进行气相沉积制得石墨烯薄膜的方法。这是目前生产石墨烯薄膜最有效的方法。
石墨烯（Graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度的二维材料。作为一种碳的同素异形体，石墨烯可被视为其他碳同素异形体的基本单元：石墨，木炭，碳纳米管和富勒烯。
借助光学显微镜和拉曼在玻璃基底上制备石墨烯薄膜，同时在其边缘镀上金属铬和金形成一个金属窗，和另一片ITO 形成夹层，在夹层间填上液晶分子，制备出具有高对比度的LCD 器件。
取向附生法晶膜生长制备石墨烯Peter W.Sutter 等使用稀有金属钌作为生长基质，利用基质的原子结构种出了石墨烯。
气象沉积法主要是含碳气体（甲烷依稀），在一定的温度和压力条件下，碳原子在生长基上附着，形成单层碳结构物质并逐渐生长。优点：所得石墨烯结构好，尺寸不受原料的限制。缺点：制备过程复杂，生产效率低。
测sem时的硅片的作用
在硅片上制造微电路是成批地制造，在微小的面积上制出晶体管电阻电容而且按要求连成电路已属不易，而在一定面积的硅片上制造出性能一致的芯片则更加困难。
光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶。很多纳米管线等都是在类似的基体上生长，然后直接SEM观察。
.1克。根据查询相关资料显示，镀金硅片31U含金量有0.1克，镀金硅片可用作纳米领域的基片扫描电镜（SEM）原子力显微镜（AFM）及其它扫描探针显微镜的测距，以及细胞培养，蛋白质DNA微阵列和反射计等方面。
基本来说就是：硅片对光的吸收，光照到硅片表面被凹凸不平的表面所吸收。提高陷光能力的做出来的电池片Isc较高，从而提高电池片的EFF。
纳米材料在测SEM时要怎么分散的更好些
将纳米粉体用酒精搅拌分散。然后将其都倒入超声波机器里进行分散。超声波机器里加入很多的纯净水。超声一段时间后，用吸液管往超声波机器里吸取少量液体，滴到事先准备好的TEM用的小金片上，这种方法叫做离子捡捞法。
固体样品可以直接看SEM，不过粉体一定要非常少，用个镊子撒一点点上去，然后用吹掉多余的部分。
具体看看你的样品有什么特征了，要能很好的分散在溶剂中，如果太黏，制样的效果不好；还有就是如果忖度太低，需要染色，这样效果要好点。
进行SEM拍照，需要再做涂膜后干燥才能操作，实际上在干燥的过程中，再小的纳米颗粒都会重新团聚到一起了，基本上拍出来的照片看到的应该都是微米级的了。要得到纳米材料的真实情况照片，必须保持分散液状态来做电镜扫描。
直接放在玻璃片上，乙醇让他挥发了就可以了，可以照的到的，而且团聚也不算严重。
搞定SEMTEM样品制备方法,拍出高级电镜图!
1扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）于1965年左右发明，其利用二次电子背散射电子及特征X射线等信号来观察分析样品表面的形态特征，是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察方法。
2超薄切片法这是最常用的方法，因为可以观察细胞或其它样品内部的细微结构。通常是要按照一定程序对样品进行固定，脱水，然后包埋在树脂中作为支持物，用超薄切片机切成极薄的切片。
3建议由老师制备或在老师指导下制备。）4．等15 min以上，以便乙醇尽量挥发完毕；否则将样品装上样品台插入电镜，将影响电镜的真空。块状样品制备 1．电解减薄方法 用于金属和合金试样的制备。
